600 nm 공정

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h

600 nm(나노미터) 공정 또는 0.6 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 600 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1994년에서 1995년 경 미츠비시, 일렉트릭, 도시바, NEC, 인텔, IBM 등의 선두적인 반도체 기업들에 의해 상용화된 공정 기술이다.